Benjamin Iñíguez: шукати на сайті Z-Library

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (143)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

Analytical Model for Schottky Barrier Height and Threshold Voltage of AlGaN/GaN HEMTs With Piezoelectric Effect

Muhea, Wondwosen Eshetu, Yigletu, Fetene Mulugeta, Cabre-Rodon, Roger, Iniguez, Benjamin

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.76 MB

english, 2018

Foreword Special Issue on Compact Modeling for Circuit Design

Iniguez, Benjamin, Grabinski, Wladek, MijalkoviC, Slobodan, Xia, Kejun, Scholten, Andries J., Chauhan, Yogesh Singh, Roy, Ananda S., Yoshitomi, Sadayuki, Xu, Kaikai

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.69 MB

english, 2019

Accurate semi empirical predictive model for doped and undoped double gate MOSFET

Cabré, Roger, Eshetu Muhea, Wondwosen, Iñiguez, Benjamin

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.37 MB

english, 2018

Compact charge and capacitance modeling of undoped ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs

Oana Moldovan, Ferney A. Chaves, David Jiménez, Benjamin Iñiguez

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 237 KB

english, 2008

A simple compact model for long-channel junctionless Double Gate MOSFETs

Lime, François, Santana, Ernesto, Iñiguez, Benjamin

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 657 KB

english, 2013

A Compact Explicit Model for Long-Channel Gate-All-Around Junctionless MOSFETs. Part I: DC Characteristics

Lime, Francois, Moldovan, Oana, Iniguez, Benjamin

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.08 MB

english, 2014

Numerical simulation and compact modelling of AlGaN/GaN HEMTs with mitigation of self-heating effects by substrate materials

Rodríguez, Raúl, González, Benito, García, Javier, Yigletu, Fetene M., Tirado, José M., Iñiguez, Benjamín, Nunez, Antonio

Журнал:

physica status solidi (a)

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 868 KB

english, 2015

A compact model and direct parameters extraction techniques For amorphous gallium-indium-zinc-oxide thin film transistors

Moldovan, Oana, Castro-Carranza, Alejandra, Cerdeira, Antonio, Estrada, Magali, Barquinha, Pedro, Martins, Rodrigo, Fortunato, Elvira, Miljakovic, Slobodan, Iñiguez, Benjamin

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 719 KB

english, 2016

[IEEE ESSDERC 2016 - 46th European Solid-State Device Research Conference - Lausanne, Switzerland (2016.9.12-2016.9.15)] 2016 46th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) - Implementation of a DC compact model for double-gate Tunnel-FET based on 2D calculations and application in circuit simulation

Horst, Fabian, Graef, Michael, Hosenfeld, Fabian, Farokhnejad, Atieh, Hain, Franziska, Luong, Gia Vinh, Zhao, Qing-Tai, Iniguez, Benjamin, Kloes, Alexander

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.11 MB

english, 2016

A compact explicit DC model for short channel Gate-All-Around junctionless MOSFETs

Lime, François, Ávila-Herrera, Fernando, Cerdeira, Antonio, Iñiguez, Benjamín

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 456 KB

english, 2017

[IEEE 2019 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS) - Grenoble, France (2019.4.1-2019.4.3)] 2019 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS) - Equivalent Length Concept for Compact Modeling of Short-Channel GAA and DG MOSFETs

Yilmaz, Kerim, Darbandy, Ghader, Iniguez, Benjamin, Lime, Francois, Kloes, Alexander

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.64 MB

english, 2019

Equivalent DG Dimensions Concept for Compact Modeling of Short-Channel and Thin Body GAA MOSFETs Including Quantum Confinement

Yilmaz, Kerim, Darbandy, Ghader, Reimbold, Gilles, Iniguez, Benjamin, Lime, Francois, Kloes, Alexander

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2020

Файл:

PDF, 1.53 MB

2020

Implementation of the symmetric doped double-gate MOSFET model in Verilog-A for circuit simulation

Joaquín Alvarado, Benjamin Iñiguez, Magali Estrada, Denis Flandre, Antonio Cerdeira

Журнал:

International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 374 KB

english, 2010

A charge-based continuous model for submicron graded-channel nMOSFET for analog circuit simulation

Michelly de Souza, Marcelo Antonio Pavanello, Benjamín Iñíguez, Denis Flandre

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 469 KB

english, 2005

Analytical predictive modeling for the study of the scalability limits of multiple gate MOSFETs

Hamdy Abd El-Hamid, Jaume Roig, Benjamin Iñíguez

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 854 KB

english, 2007

Compact model for highly-doped double-gate SOI MOSFETs targeting baseband analog applications

Oana Moldovan, Antonio Cerdeira, David Jiménez, Jean-Pierre Raskin, Valeria Kilchytska, Denis Flandre, Nadine Collaert, Benjamin Iñiguez

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 339 KB

english, 2007

Universal compact model for long- and short-channel Thin-Film Transistors

Benjamin Iñiguez, Rodrigo Picos, Dmitry Veksler, A. Koudymov, Michael S. Shur, Trond Ytterdal, Warren Jackson

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 276 KB

english, 2008

Compact model for short channel symmetric doped double-gate MOSFETs

Antonio Cerdeira, Benjamín Iñiguez, Magali Estrada

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 276 KB

english, 2008

Compact model of output conductance in nanoscale bulk MOSFET based on 2D analytical calculations

Michaela Weidemann, Alexander Kloes, Benjamin Iñiguez

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 643 KB

english, 2008

Compact capacitance modeling of a 3-terminal FET at zero drain–source voltage

Benjamin Iñiguez, Oana Moldovan

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 165 KB

english, 2010

Analytical modeling of the gate tunneling leakage for the determination of adequate high-k dielectrics in double-gate SOI MOSFETs at the 22 nm node

Ghader Darbandy, Romain Ritzenthaler, Francois Lime, Ivan Garduño, Magali Estrada, Antonio Cerdeira, Benjamin Iñiguez

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 487 KB

english, 2010

Electrical studies of semiconductor–dielectric interfaces

M. Jamal Deen, Benjamin Iñiguez, Ognian Marinov, François Lime

Журнал:

Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 550 KB

english, 2006

2D analytical calculation of the electrostatic potential in lightly doped Schottky barrier Double-Gate MOSFET

Mike Schwarz, Michaela Weidemann, Alexander Kloes, Benjamín Iñíguez

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.60 MB

english, 2010

2D analytical calculation of the electric field in lightly doped Schottky barrier double-gate MOSFETs and estimation of the tunneling/thermionic current

Mike Schwarz, Thomas Holtij, Alexander Kloes, Benjamín Iñíguez

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.73 MB

english, 2011

3D analytical modelling of subthreshold characteristics in vertical Multiple-gate FinFET transistors

Romain Ritzenthaler, François Lime, Olivier Faynot, Sorin Cristoloveanu, Benjamin Iñiguez

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 864 KB

english, 2011

Analytical compact modeling framework for the 2D electrostatics in lightly doped double-gate MOSFETs

Mike Schwarz, Thomas Holtij, Alexander Kloes, Benjamín Iñíguez

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.56 MB

english, 2012

Effect of interface charge on the dc bias stress-induced deformation and shift of the transfer characteristic of amorphous oxide thin-film transistors

Magali Estrada, Antonio Cerdeira, Benjamin Iñiguez

Журнал:

Microelectronics Reliability

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 393 KB

english, 2012

Gate leakage current partitioning in nanoscale double gate MOSFETs, using compact analytical model

Ghader Darbandy, François Lime, Antonio Cerdeira, Magali Estrada, Salvador Ivan Garduño, Benjamin Iñiguez

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 538 KB

english, 2012

Temperature dependent compact modeling of gate tunneling leakage current in double gate MOSFETs

Darbandy, Ghader, Aghassi, Jasmin, Sedlmeir, Josef, Monga, Udit, Garduño, Ivan, Cerdeira, Antonio, Iñiguez, Benjamin

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 547 KB

english, 2013

Threshold voltage, and 2D potential modeling within short-channel junctionless DG MOSFETs in subthreshold region

Holtij, Thomas, Schwarz, Mike, Kloes, Alexander, Iñíguez, Benjamín

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 957 KB

english, 2013

Analytical temperature dependent model for nanoscale double-gate MOSFETs reproducing advanced transport models

Cheralathan, Muthupandian, Sampedro, Carlos, Gámiz, Francisco, Iñiguez, Benjamin

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 541 KB

english, 2014

Compact modeling solutions for short-channel SOI Schottky barrier MOSFETs

Schwarz, Mike, Holtij, Thomas, Kloes, Alexander, Iñíguez, Benjamín

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.70 MB

english, 2013

Automatic parameter extraction technique for gate leakage current modeling in double gate MOSFET

Darbandy, Ghader, Gneiting, Thomas, Alius, Heidrun, Alvarado, Joaquín, Cerdeira, Antonio, Iñiguez, Benjamin

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 613 KB

english, 2013

[IEEE 2011 Spanish Conference on Electron Devices (CDE) - Palma de Mallorca, Spain (2011.02.8-2011.02.11)] Proceedings of the 8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE'2011 - Study of frequency dispersion effects to consider in a capacitance model for OTFTs

Castro-Carranza, Alejandra, Nolasco, Jairo C., Iniguez, Benjamin, Marsal, Lluis, Pallares, Josep, Estrada, Magali, Cerdeira, Antonio, Picos, Rodrigo

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 660 KB

english, 2011

Semi-analytical non-charge-sheet and non-depletion MOS model, for inversion charge calculation

Cabré Rodon, Roger, Iñiguez, Benjamin

Журнал:

International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 387 KB

english, 2014

COMPACT MODELING OF DOUBLE AND TRI-GATE MOSFETs

IÑIGUEZ, BENJAMIN, RITZENTHALER, ROMAIN, LIME, FRANÇOIS

Журнал:

International Journal of High Speed Electronics and Systems

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.84 MB

english, 2013

Association mapping of seed quality traits inBrassica napusL. using GWAS and candidate QTL approaches

Gajardo, Humberto A., Wittkop, Benjamin, Soto-Cerda, Braulio, Higgins, Erin E., Parkin, Isobel A. P., Snowdon, Rod J., Federico, Maria L., Iniguez-Luy, Federico L.

Журнал:

Molecular Breeding

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.87 MB

english, 2015

SPIE Proceedings [SPIE SPIE Third International Symposium on Fluctuations and Noise - Austin, TX (Monday 23 May 2005)] Noise in Devices and Circuits III - High frequency noise of SOI MOSFETs: performances and limitations (Invited Paper)

Danneville, Francois, Balandin, Alexander A., Danneville, Francois, Pailloncy, Guillaume, Siligaris, Alexandre, Deen, M. Jamal, Fleetwood, Daniel M., Iniguez, Benjamin, Dambrine, Gilles

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 268 KB

english, 2005

[IEEE 2016 MIXDES - 23rd International Conference "Mixed Design of Integrated Circuits and Systems" - Lodz, Poland (2016.6.23-2016.6.25)] 2016 MIXDES - 23rd International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems - Modeling approach for rapid NEGF-based simulation of ballistic current in ultra-short DG MOSFETs

Hosenfeld, Fabian, Graef, Michael, Horst, Fabian, Kloes, Alexander, Iniguez, Benjamin, Lime, Francois

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.10 MB

english, 2016

[IEEE 2016 MIXDES - 23rd International Conference "Mixed Design of Integrated Circuits and Systems" - Lodz, Poland (2016.6.23-2016.6.25)] 2016 MIXDES - 23rd International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems - Comparative numerical analysis and analytical RDF-modeling of MOSFETs and DG Tunnel-FETs

Graef, Michael, Hain, Franziska, Hosenfeld, Fabian, Horst, Fabian, Farokhnejad, Atieh, Kloes, Alexander, Iniguez, Benjamin

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 833 KB

english, 2016

A Complete Charge-Based Capacitance Model for IGZO TFTs

Moldovan, Oana, Castro-Carranza, Alejandra, Estrada, Magali, Cerdeira, Antonio, Lime, Francois, Iniguez, Benjamin

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.05 MB

english, 2019

[IEEE 2020 IEEE Latin America Electron Devices Conference (LAEDC) - San Jose, Costa Rica (2020.2.25-2020.2.28)] 2020 IEEE Latin America Electron Devices Conference (LAEDC) - Direct Source-to-Drain Tunneling Current in Ultra-Short Channel DG MOSFETs by Wavelet Transform

Yilmaz, Kerim, Farokhnejad, Atieh, Criado, Francisco, Iniguez, Benjamin, Lime, Francois, Kloes, Alexander

Рік:

2020

Файл:

PDF, 637 KB

2020

Foreword Special Issue on Compact Modeling of Semiconductor Devices

Iniguez, Benjamin, Chauhan, Yogesh Singh, Mijalkovic, Slobodan, Xia, Kejun, Goo, Jung-Suk, Pavanello, Marcelo, Mierzwinski, Marek, Grabinski, Wladek

Журнал:

IEEE Journal of the Electron Devices Society

Рік:

2020

Файл:

PDF, 385 KB

2020

Accurate prediction of the volume inversion impact on undoped Double Gate MOSFET capacitances

Oana Moldovan, Ferney A. Chaves, David Jiménez, Jean-Pierre Raskin, Benjamin Iñiguez

Журнал:

International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 251 KB

english, 2010

Deep-submicron drain current to radio frequency silicon on insulator metal oxide semiconductor field-effect transistor macromodel for designing microwave circuits

Benjamin Iñíguez, Jean-Pierre Raskin

Журнал:

International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 333 KB

english, 2002

Impact of the fringing capacitance at the back of thin-film transistors

Ognian Marinov, M. Jamal Deen, Juan Antonio Jimenez Tejada, Benjamin Iniguez

Журнал:

Organic Electronics

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 867 KB

english, 2011

Direct protein detection with a nano-interdigitated array gate MOSFET

Xiaohui Tang, Alain M. Jonas, Bernard Nysten, Sophie Demoustier-Champagne, Franoise Blondeau, Pierre-Paul Prévot, Rémi Pampin, Edmond Godfroid, Benjamin Iñiguez, Jean-Pierre Colinge, Jean-Pierre Raski

Журнал:

Biosensors and Bioelectronics

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.06 MB

english, 2009

Two-dimensional analytical threshold voltage roll-off and subthreshold swing models for undoped cylindrical gate all around MOSFET

Hamdy Abd-Elhamid, Benjamin Iñiguez, David Jiménez, Jaume Roig, Josep Pallarès, Lluís F. Marsal

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 527 KB

english, 2006

C∞-continuous high-temperature model for low-doped accumulation mode silicon-on-insulator pMOSFETs

Yuri Houk, Benjamin Iñiguez, Denis Flandre, Alexei Nazarov

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.29 MB

english, 2006

Optimized parameter extraction using fuzzy logic

Rodrigo Picos, Oscar Calvo, Benjamín Iñiguez, Eugeni García-Moreno, Rodolfo García, Magali Estrada

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 335 KB

english, 2007